| 標(biāo)稱頻率
晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。
工作頻率
晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
調(diào)整頻差
在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。
溫度頻差
在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許
偏差。
老化率
在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為
年老化率。
靜電容
等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
負(fù)載電容
與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
負(fù)載諧振頻率
在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
動(dòng)態(tài)電阻
串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
負(fù)載諧振電阻
在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL=R1（1+C0/CL）2
激勵(lì)電平
晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。
激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
基頻
在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
泛音
晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。 |
